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碳化硅器件检测试分析 华则检测第三方实验室CNAS/CMA

碳化硅器件检测试分析 华则检测第三方实验室CNAS/CMA

陕西天士立科技有限公司 专业的第三方检测机构 碳化硅器件检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备NO.1、水平NO.1、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。 碳化硅器件检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：468 查看详情 >>
专业芯片ic烧录烧写 华则检测第三方实验室

专业芯片ic烧录烧写 华则检测第三方实验室

专业的第三方检测机构 专业芯片ic烧录烧写_**_华则检测第三方实验室：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备NO.1、水平NO.1、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。 专业芯片ic烧录烧写_**_华则检测第三方实验室：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：423 查看详情 >>
STO1400光耦电学参数测试仪

STO1400光耦电学参数测试仪

OptoCouplerTester1400V STO1400光耦测试仪，可测试各类光耦，如单通道、双通道、多通道的模拟光耦，数字光耦，高速光耦，线性光耦等。测试参数包括“耐压BVCEO/BVECO”、“输入正向压降VF”、“输出端反向漏电流ICEO”、“反向漏电流IR”、“电流传输比CTR”、“输出导通压降VCE(sat)”、“开关时间toff/ton”等。 一、光耦测试仪·产品信息 产品型...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：505 查看详情 >>
分立器件IV曲线追踪扫描仪STD2000

分立器件IV曲线追踪扫描仪STD2000

第一部分：规格&环境 1.1、产品信息 产品型号：STD2000 产品名称：分立器件IV曲线追踪扫描仪 生产厂家：陕西天士立科技有限公司 1.2、物理规格 主机尺寸：深660*宽430*高210(mm) 主机重量：＜35kg 1.3、电气环境 主机功耗：＜300W 海拔高度：海拔不超过4000m； 环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）； 相对湿度：20%RH～75%R...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：471 查看详情 >>
STD2000晶体管参数测试系统

STD2000晶体管参数测试系统

第一部分：规格&环境 1.1、产品信息 产品名称：晶体管参数测试系统 产品型号：STD2000 设备厂家：陕西天士立科技有限公司 生产地址：陕西西安 1.2、物理规格 主机尺寸：深660*宽430*高210(mm) 主机重量：＜35kg 1.3、电气环境 主机功耗：＜300W 海拔高度：海拔不超过4000m； 环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）； 相对湿度：20%R...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：495 查看详情 >>
半导体分立器件静态参数测试系统STD2000

半导体分立器件静态参数测试系统STD2000

第一部分：规格&环境 1.1、产品信息 产品名称：半导体分立器件静态参数测试系统 产品型号：STD2000 设备厂家：陕西天士立科技有限公司 生产地址：陕西西安 1.2、物理规格 主机尺寸：深660*宽430*高210(mm) 主机重量：＜35kg 1.3、电气环境 主机功耗：＜300W 海拔高度：海拔不超过4000m； 环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）； 相对湿...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：576 查看详情 >>
半导体功率器件静态参数测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

半导体功率器件静态参数测试仪系统 & 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖7大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IG...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：388 查看详情 >>
半导体参数测试仪&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

半导体参数测试仪&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体参数测试仪能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极/...

发布日期：2024-07-05  阅读次数：436 查看详情 >>
半导体分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

半导体分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件静态参数测试系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：443 查看详情 >>
半导体功率器件静态参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

半导体功率器件静态参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,50...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：424 查看详情 >>
IV曲线追踪扫描仪&半导体图示仪能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

IV曲线追踪扫描仪&半导体图示仪能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/IV曲线追踪扫描仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：574 查看详情 >>
分立器件参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

分立器件参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/分立器件参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：423 查看详情 >>
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